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STMicroelectronics STripFET II STP60NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220

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Produktinformationen

STMicroelectronics STripFET II STP60NF10 N-Kanal, THT MOSFET 100 V / 80 A 300 W, 3-Pin TO-220

Artikel-Nr.:
3794E-7610159

Hersteller:
ST Microelectronics

Herst.-Nr.:
STP60NF10

EAN/GTIN:
5059042735185

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
stm mosfet
mosfet

Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 80 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = TO-220
Montage-Typ = THT
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 23 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 300 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 104 nC @ 10 V
Höhe = 15.75mm

N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand.

Weitere Informationen:


Channel-Typ:	N
Dauer-Drainstrom max.:	80 A
Drain-Source-Spannung max.:	100 V
Gehäusegröße:	TO-220
Montage-Typ:	THT
Pinanzahl:	3
Drain-Source-Widerstand max.:	23 mΩ
Channel-Modus:	Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:	4V
Gate-Schwellenspannung min.:	2V
Verlustleistung max.:	300 W
Transistor-Konfiguration:	Einfach
Gate-Source Spannung max.:	-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:	104 nC @ 10 V
Höhe:	15.75mm

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Weitere Suchbegriffe: mosfet 80a, 7610159, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STP60NF10, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs

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