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onsemi PowerTrench FDC655BN N-Kanal, SMD MOSFET 30 V / 6,3 A 1,6 W, 6-Pin SSOT-6


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-7614426
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDC655BN
EAN/GTIN:
     5059042892352
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 6,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = SSOT-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 36 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 1,6 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs = 5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V
Serie = PowerTrench

N-Kanal-MOSFET PowerTrench®, bis zu 9,9 A, Fairchild Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
6,3 A
Drain-Source-Spannung max.:
30 V
Gehäusegröße:
SSOT-6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
36 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
1,6 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-20 V, +20 V
Gate-Ladung typ. @ Vgs:
5 nC @ 5 V, 9 nC @ 10 V
Serie:
PowerTrench
Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, 7614426, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, FDC655BN, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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