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| Artikel-Nr.:
3794E-7879409 Herst.-Nr.:
SISA10DN-T1-GE3 EAN/GTIN:
5059040676961 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 30 A
Drain-Source-Spannung max. = 30 V
Gehäusegröße = PowerPAK 1212-8
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 8
Drain-Source-Widerstand max. = 5 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 1.1V
Verlustleistung max. = 39 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TrenchFET
N-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen IV, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 30 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | PowerPAK 1212-8 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 8 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.1V | Verlustleistung max.: | 39 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –16 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | TrenchFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 30a, 7879409, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SISA10DNT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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