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| Artikel-Nr.:
3794E-7925678 Herst.-Nr.:
MJD243T4G EAN/GTIN:
5059042190243 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 4 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 100 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 12,5 W
Gleichstromverstärkung min. = 40
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = 100 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 7 V
Arbeitsfrequenz max. = 10 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Abmessungen = 6.73 x 6.22 x 2.38mm
Hersteller-Teilenummern mit NSV-Präfix sind gemäß AEC-Q101-Standard für die Automobilindustrie zugelassen. NPN-Leistungstransistoren, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 4 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 100 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 12,5 W | Gleichstromverstärkung min.: | 40 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 100 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 7 V | Arbeitsfrequenz max.: | 10 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Abmessungen: | 6.73 x 6.22 x 2.38mm |
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| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, 7925678, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, MJD243T4G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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