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| Artikel-Nr.: 3794E-7956944 Herst.-Nr.: STB60NF06LT4 EAN/GTIN: 5059042109566 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 60 A Drain-Source-Spannung max. = 60 V Gehäusegröße = D2PAK (TO-263) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 14 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 1V Verlustleistung max. = 110 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V Anzahl der Elemente pro Chip = 1 Serie = STripFET II
N-Kanal STripFET™ II, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 60 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 14 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 1V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Serie: | STripFET II |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, stm mosfet, smd transistor, mosfet d2pak, 7956944, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB60NF06LT4, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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