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| Artikel-Nr.: 3794E-7959000 Herst.-Nr.: STD65N55F3 EAN/GTIN: 5059042402070 |
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| Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 80 A Drain-Source-Spannung max. = 55 V Gehäusegröße = DPAK (TO-252) Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 8,5 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 4V Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 110 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +175 °C Höhe = 2.4mm
N-Kanal STripFET™ F3, STMicroelectronics. STripFET™ MOSFETs mit einem breiten Durchschlagsspannungs-Bereich bieten eine besonders geringe Gate-Ladung und einen niedrigen Einschaltwiderstand. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 80 A | Drain-Source-Spannung max.: | 55 V | Gehäusegröße: | DPAK (TO-252) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 8,5 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 110 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 2.4mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet dpak, smd transistor, stm mosfet, 7959000, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STD65N55F3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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