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| Artikel-Nr.:
3794E-8047612 Herst.-Nr.:
IXA60IF1200NA EAN/GTIN:
5059041485210 |
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| Dauer-Kollektorstrom max. = 88 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 1200 V
Gate-Source Spannung max. = ±20V
Verlustleistung max. = 290 W
Gehäusegröße = SOT-227B
Montage-Typ = SMD
Channel-Typ = N
Pinanzahl = 4
Transistor-Konfiguration = Einfach
Abmessungen = 38.23 x 25.25 x 9.6mm
Betriebstemperatur min. = -40 °C
IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT. Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen. Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung 10 μs lange Kurzschlussauslösung Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen Weitere Informationen: | | Dauer-Kollektorstrom max.: | 88 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 1200 V | Gate-Source Spannung max.: | ±20V | Verlustleistung max.: | 290 W | Gehäusegröße: | SOT-227B | Montage-Typ: | SMD | Channel-Typ: | N | Pinanzahl: | 4 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Abmessungen: | 38.23 x 25.25 x 9.6mm | Betriebstemperatur min.: | -40 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor, 8047612, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, IXA60IF1200NA, Semiconductors, Discrete Semiconductors, IGBTs |
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