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| Artikel-Nr.:
3794E-8058717 Herst.-Nr.:
NVF3055L108T1G EAN/GTIN:
5059042658323 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 3 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = SOT-223
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 120 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Verlustleistung max. = 2,1 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -15 V, +15 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Höhe = 1.65mm
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 60 V, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 120 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2V | Verlustleistung max.: | 2,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -15 V, +15 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Höhe: | 1.65mm |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, on semiconductor mosfet, smd transistor, mosfet sot-223, 8058717, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, onsemi, NVF3055L108T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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