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| Artikel-Nr.:
3794E-8080017 Herst.-Nr.:
NSB1706DMW5T1G EAN/GTIN:
5059042611564 |
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| Transistor-Typ = NPN
DC Kollektorstrom max. = 100 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = 50 V
Gehäusegröße = SOT-353 (SC-88A)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 385 mW
Transistor-Konfiguration = Single & Common Emitter
Kollektor-Basis-Spannung max. = 50 V dc
Basis-Emitter Spannung max. = 6 V
Pinanzahl = 5
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Betriebstemperatur max. = +150 °C
Hersteller-Teilenummern mit S oder NSV als Präfix sind gemäß der Norm AEC-Q101 für die Automobilindustrie zugelassen. Universal-NPN-Transistoren, bis zu 1 A, ON Semiconductor Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | DC Kollektorstrom max.: | 100 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | 50 V | Gehäusegröße: | SOT-353 (SC-88A) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 385 mW | Transistor-Konfiguration: | Single & Common Emitter | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 50 V dc | Basis-Emitter Spannung max.: | 6 V | Pinanzahl: | 5 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Betriebstemperatur max.: | +150 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, onsemi transistor, 8080017, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, onsemi, NSB1706DMW5T1G, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
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