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Vishay TrenchFET SI3477DV-T1-GE3 P-Kanal, SMD MOSFET 12 V / 8 A 4,2 W, 6-Pin TSOP-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     3794E-8123160
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI3477DV-T1-GE3
EAN/GTIN:
     5059040793842
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
mosfet
Channel-Typ = P
Dauer-Drainstrom max. = 8 A
Drain-Source-Spannung max. = 12 V
Gehäusegröße = TSOP-6
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 6
Drain-Source-Widerstand max. = 33 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung min. = 0.4V
Verlustleistung max. = 4,2 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -10 V, +10 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = TrenchFET

P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
P
Dauer-Drainstrom max.:
8 A
Drain-Source-Spannung max.:
12 V
Gehäusegröße:
TSOP-6
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
6
Drain-Source-Widerstand max.:
33 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung min.:
0.4V
Verlustleistung max.:
4,2 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
-10 V, +10 V
Transistor-Werkstoff:
Si
Serie:
TrenchFET
Weitere Suchbegriffe: mosfet 8a, 8123160, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SI3477DVT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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