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| Artikel-Nr.: 3794E-8141213 Herst.-Nr.: SIA449DJ-T1-GE3 EAN/GTIN: 5059040742420 |
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| Channel-Typ = P Dauer-Drainstrom max. = 10,4 A Drain-Source-Spannung max. = 30 V Gehäusegröße = SOT-363 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 6 Drain-Source-Widerstand max. = 38 mΩ Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 0.6V Verlustleistung max. = 19 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -12 V, +12 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 0.8mm
P-Kanal MOSFET, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | P | Dauer-Drainstrom max.: | 10,4 A | Drain-Source-Spannung max.: | 30 V | Gehäusegröße: | SOT-363 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 6 | Drain-Source-Widerstand max.: | 38 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 0.6V | Verlustleistung max.: | 19 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -12 V, +12 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 0.8mm |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, 8141213, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, SIA449DJT1GE3, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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