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| Artikel-Nr.: 8737-3772805 Herst.-Nr.: SIA449DJ-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0155 ohmProduktpalette: TrenchFET Anzahl der Pins: 6 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: p-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 12 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Drain-Source-Spannung Vds: 30 VVerlustleistung: 19 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 VSVHC: No SVHC (10-Jun-2022) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: mosfet 10a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA449DJ-T1-GE3, 3772805, 377-2805 |
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