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| Artikel-Nr.: 3794E-8152736 Herst.-Nr.: IRFL210TRPBF EAN/GTIN: 5059040739345 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 960 mA Drain-Source-Spannung max. = 200 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 1,5 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung min. = 2V Verlustleistung max. = 3,1 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Transistor-Werkstoff = Si Höhe = 1.8mm
N-Kanal MOSFET, 200 V bis 250 V, Vishay Semiconductor Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 960 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 200 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,5 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 3,1 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Höhe: | 1.8mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet sot-223, 8152736, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Vishay, IRFL210TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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