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| Artikel-Nr.:
3794E-8167817 Herst.-Nr.:
BST51 EAN/GTIN:
5059043504919 |
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| Transistor-Typ = NPN
Dauer-Kollektorstrom max. = 1 A
Kollektor-Emitter-Spannung = 60 V
Basis-Emitter Spannung max. = 5 V
Gehäusegröße = SOT-89
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Transistor-Konfiguration = Einfach
Anzahl der Elemente pro Chip = 2
Gleichstromverstärkung min. = 1000
Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,9 V
Kollektor-Basis-Spannung max. = 80 V
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. = 1,3 V
Kollektor-Abschaltstrom max. = 50nA
Verlustleistung max. = 1,3 W
Darlington-Transistoren, Nexperia Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | NPN | Dauer-Kollektorstrom max.: | 1 A | Kollektor-Emitter-Spannung: | 60 V | Basis-Emitter Spannung max.: | 5 V | Gehäusegröße: | SOT-89 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Anzahl der Elemente pro Chip: | 2 | Gleichstromverstärkung min.: | 1000 | Basis-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,9 V | Kollektor-Basis-Spannung max.: | 80 V | Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max.: | 1,3 V | Kollektor-Abschaltstrom max.: | 50nA | Verlustleistung max.: | 1,3 W |
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| Weitere Suchbegriffe: smd-transistor npn, smd transistor, 8167817, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Darlington Transistoren, Nexperia, BST51, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Darlington Pairs |
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