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| Artikel-Nr.: 3794E-8269276 Herst.-Nr.: BSP125H6327XTSA1 EAN/GTIN: 5059043017402 |
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![](/p.gif) | Channel-Typ = N Dauer-Drainstrom max. = 120 mA Drain-Source-Spannung max. = 600 V Gehäusegröße = SOT-223 Montage-Typ = SMD Pinanzahl = 3 Drain-Source-Widerstand max. = 45 Ω Channel-Modus = Enhancement Gate-Schwellenspannung max. = 2.3V Gate-Schwellenspannung min. = 1.3V Verlustleistung max. = 1,8 W Transistor-Konfiguration = Einfach Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V Betriebstemperatur max. = +150 °C Höhe = 1.6mm
N-Kanal-MOSFETs Infineon SIPMOS® Weitere Informationen: ![](/p.gif) | ![](/p.gif) | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 120 mA | Drain-Source-Spannung max.: | 600 V | Gehäusegröße: | SOT-223 | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 45 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 2.3V | Gate-Schwellenspannung min.: | 1.3V | Verlustleistung max.: | 1,8 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +150 °C | Höhe: | 1.6mm |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet sot-223, 8269276, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, BSP125H6327XTSA1, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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