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Infineon HEXFET IRLR2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)


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Infineon HEXFET IRLR2705TRPBF N-Kanal, SMD MOSFET 55 V / 28 A 68 W, 3-Pin DPAK (TO-252)
Artikel-Nr.:
     3794E-8303348
Hersteller:
     Infineon
Herst.-Nr.:
     IRLR2705TRPBF
EAN/GTIN:
     5059043024387
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 28 A
Drain-Source-Spannung max. = 55 V
Gehäusegröße = DPAK (TO-252)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 65 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 2V
Gate-Schwellenspannung min. = 1V
Verlustleistung max. = 68 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –16 V, +16 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = HEXFET

N-Kanal-Leistungs-MOSFET, 55 V, Infineon. Das Angebot an diskreten HEXFET® Leistungs-MOSFETs von Infineon umfasst N-Kanal-Geräte für Oberflächenmontage und durchkontaktierte Gehäuse und Formfaktoren für fast jedes Platinenlayout und thermische Design. Der über die gesamte Serie hinweg gesenkte Widerstand führt zu verringerten Leitungsverlusten, wodurch Entwickler einen optimalen Systemwirkungsgrad erzielen können.
Weitere Informationen:
Channel-Typ:
N
Dauer-Drainstrom max.:
28 A
Drain-Source-Spannung max.:
55 V
Gehäusegröße:
DPAK (TO-252)
Montage-Typ:
SMD
Pinanzahl:
3
Drain-Source-Widerstand max.:
65 mΩ
Channel-Modus:
Enhancement
Gate-Schwellenspannung max.:
2V
Gate-Schwellenspannung min.:
1V
Verlustleistung max.:
68 W
Transistor-Konfiguration:
Einfach
Gate-Source Spannung max.:
–16 V, +16 V
Betriebstemperatur max.:
+175 °C
Serie:
HEXFET
Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet infineon, smd transistor, mosfet dpak, 8303348, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Infineon, IRLR2705TRPBF, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs
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