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| Artikel-Nr.:
3794E-8752481 Herst.-Nr.:
MMIX1F180N25T EAN/GTIN:
5059041752763 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 132 A
Drain-Source-Spannung max. = 250 V
Gehäusegröße = SMPD
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 24
Drain-Source-Widerstand max. = 13 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 5V
Verlustleistung max. = 570 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -30 V, +30 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = GigaMOS, HiperFET
N-Kanal-Leistungs-MOSFET, IXYS HiperFET™ Serie GigaMOS™ Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 132 A | Drain-Source-Spannung max.: | 250 V | Gehäusegröße: | SMPD | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 24 | Drain-Source-Widerstand max.: | 13 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 5V | Verlustleistung max.: | 570 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -30 V, +30 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | GigaMOS, HiperFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, 8752481, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, IXYS, MMIX1F180N25T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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