|  |
| |
| Artikel-Nr.:
3794E-8962616 Herst.-Nr.:
2SA1162-GR,LF(T EAN/GTIN:
5059041582179 |
| |
|
| | |
| Transistor-Typ = PNP
DC Kollektorstrom max. = –150 mA
Kollektor-Emitter-Spannung = –50 V
Gehäusegröße = TO-236MOD (SC-59)
Montage-Typ = SMD
Verlustleistung max. = 150 mW
Gleichstromverstärkung min. = 70
Transistor-Konfiguration = Einfach
Kollektor-Basis-Spannung max. = –50 V
Basis-Emitter Spannung max. = –5 V
Arbeitsfrequenz max. = 80 MHz
Pinanzahl = 3
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur max. = +125 °C
Kleinsignal-PNP-Transistoren, Toshiba Weitere Informationen: | | Transistor-Typ: | PNP | DC Kollektorstrom max.: | –150 mA | Kollektor-Emitter-Spannung: | –50 V | Gehäusegröße: | TO-236MOD (SC-59) | Montage-Typ: | SMD | Verlustleistung max.: | 150 mW | Gleichstromverstärkung min.: | 70 | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Kollektor-Basis-Spannung max.: | –50 V | Basis-Emitter Spannung max.: | –5 V | Arbeitsfrequenz max.: | 80 MHz | Pinanzahl: | 3 | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur max.: | +125 °C |
|
| | |
| | | |
| Weitere Suchbegriffe: smd transistor, transistor toshiba, 8962616, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Bipolare Transistoren, Toshiba, 2SA1162GR,LF(T, Semiconductors, Discrete Semiconductors, Bipolar Transistors |
| | |
| |