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| Artikel-Nr.:
3794E-9009857 Herst.-Nr.:
CSD19536KTTT EAN/GTIN:
5059042645576 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 272 A
Drain-Source-Spannung max. = 100 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 2,8 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 375 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Betriebstemperatur max. = +175 °C
Serie = NexFET
N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Texas Instruments Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 272 A | Drain-Source-Spannung max.: | 100 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 2,8 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 375 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Betriebstemperatur max.: | +175 °C | Serie: | NexFET |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet d2pak, smd transistor, 9009857, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Texas Instruments, CSD19536KTTT, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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