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| Artikel-Nr.:
3794E-9064668 Herst.-Nr.:
STB100N6F7 EAN/GTIN:
5059042204179 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 100 A
Drain-Source-Spannung max. = 60 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 3
Drain-Source-Widerstand max. = 5,6 mΩ
Channel-Modus = Enhancement
Verlustleistung max. = 125 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = -20 V, +20 V
Transistor-Werkstoff = Si
Serie = STripFET F7
N-Kanal STripFET™ Serie F7, STMicroelectronics. Die Niederspannungs-MOSFETs der Serie STripFET™ F7 von STMicroelectronics verfügen über einen geringeren Widerstand bei eingeschaltetem Bauelement, mit reduzierter innerer Kapazität und Gate-Ladung für schnelleres und effizienteres Schalten. Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 100 A | Drain-Source-Spannung max.: | 60 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 3 | Drain-Source-Widerstand max.: | 5,6 mΩ | Channel-Modus: | Enhancement | Verlustleistung max.: | 125 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | -20 V, +20 V | Transistor-Werkstoff: | Si | Serie: | STripFET F7 |
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| Weitere Suchbegriffe: stm mosfet, 9064668, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, STMicroelectronics, STB100N6F7, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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