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| Artikel-Nr.:
3794E-9158833 Herst.-Nr.:
C2M1000170J EAN/GTIN:
5059045450023 |
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| Channel-Typ = N
Dauer-Drainstrom max. = 5,3 A
Drain-Source-Spannung max. = 1700 V
Gehäusegröße = D2PAK (TO-263)
Montage-Typ = SMD
Pinanzahl = 7
Drain-Source-Widerstand max. = 1,4 Ω
Channel-Modus = Enhancement
Gate-Schwellenspannung max. = 4V
Gate-Schwellenspannung min. = 2V
Verlustleistung max. = 78 W
Transistor-Konfiguration = Einfach
Gate-Source Spannung max. = –10 V, +25 V
Anzahl der Elemente pro Chip = 1
Betriebstemperatur min. = –55 °C
Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed. Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs von Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ und C3M™ Eine Serie von SiC-MOSFETs der zweiten Generation des Geschäftsbereichs Wolfspeed von Cree, die branchenführende Leistungsdichte und Schalteffizienz bietet. Diese Geräte mit niedriger Kapazität ermöglichen höhere Schaltfrequenzen und weisen verringerte Kühlanforderungen auf; dadurch wird die Gesamtbetriebseffizienz des Systems verbessert. Anreicherungstyp-N-Kanal-SiC-Technologie Hohe Drain-Source-Durchschlagspannung – bis zu 1200 V Mehrere Geräte können ganz einfach in Reihe geschaltet und betrieben werden Hochgeschwindigkeitsschalten mit geringem Widerstand im eingeschalteten Zustand Latch-Up-resistenter Betrieb Weitere Informationen: | | Channel-Typ: | N | Dauer-Drainstrom max.: | 5,3 A | Drain-Source-Spannung max.: | 1700 V | Gehäusegröße: | D2PAK (TO-263) | Montage-Typ: | SMD | Pinanzahl: | 7 | Drain-Source-Widerstand max.: | 1,4 Ω | Channel-Modus: | Enhancement | Gate-Schwellenspannung max.: | 4V | Gate-Schwellenspannung min.: | 2V | Verlustleistung max.: | 78 W | Transistor-Konfiguration: | Einfach | Gate-Source Spannung max.: | –10 V, +25 V | Anzahl der Elemente pro Chip: | 1 | Betriebstemperatur min.: | –55 °C |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet d2pak, smd transistor, 9158833, Halbleiter, Diskrete Halbleiter, Wolfspeed, C2M1000170J, Semiconductors, Discrete Semiconductors, MOSFETs |
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