Bezeichnung=NPN-Transistor mit Vorwiderstand, Typ=PDTC123ET, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-65 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=10 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=30, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=50 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=50 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=150 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Typischer Eingangswiderstand=2.2 kΩ, Typisches Widerstandsverhältnis=1 kΩ, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle |