Bezeichnung=Bipolarer Transistor, Typ=BC856BW, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=850 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=5 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=520, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=80 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=65 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=650 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=200 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Übergangsfrequenz=100 MHz, Bauform=SOT-323, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101 Weitere Informationen:  | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 2 mm | Depth: | 8 mm | Gross weight: | 0,01 g | Width: | 5 mm |
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