Bezeichnung=MOSFET, Typ=SISHA12ADN-T1-GE3, Abfallzeit=10 ns, Anstiegzeit=15 ns, Ausschaltverzögerung=22 ns, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Drain-Source-Spannung (Vds)=30 V, Einschaltverzögerung=20 ns, Gate-Source-Spannung=20 V, Kontinuierlicher Drain-Strom (Id)=25 A, Leistungsverteilung (PV)=28 W, Pins=8, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Widerstand EIN (Rds(On))=4.4 mΩ, Bauform=PowerPAK 1212-8, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=N-Kanal, Verpackung=Band & Rolle Weitere Informationen:  | | Country of origin: | CN | Customs tariff number: | 8541290000 | Height: | 2 mm | Depth: | 8 mm | Gross weight: | 0,01 g | Width: | 5 mm |
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