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IGBT, 1.2kV, 165A, SOT-227B


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     4N78Y-30253452
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     IXYN100N120B3H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
IGBT Module
SMD-Transistor
Schalttransistor
Bezeichnung=IGBT, Typ=IXYN100N120B3H1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=1.2 kV, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.6 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=165 A, Leistungsverteilung (PV)=690 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Verpackung=Röhre
Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys igbt, smd transistor
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