Bezeichnung=IGBT, Typ=IXYN80N90C3H1, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=100 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=900 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=2.7 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=115 A, Leistungsverteilung (PV)=500 W, Pins=4, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=SOT-227B, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Verpackung=Röhre Weitere Informationen:  | | Country of origin: | PT | Customs tariff number: | 8541100000 | Height: | 14 mm | Depth: | 38 mm | Gross weight: | 29,49 g | Width: | 28 mm |
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