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IGBT, 600V, 223A, SMPD


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     4N78Y-30253514
Hersteller:
     IXYS
Herst.-Nr.:
     MMIX1Y100N120C3H1
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
IGBT
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Bezeichnung=IGBT, Typ=MMIX1Y100N120C3H1, Betriebstemperatur, max.=175 °C, Betriebstemperatur, min.=-55 °C, Emitter-Leckstrom=200 nA, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=600 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=1.7 V, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=223 A, Leistungsverteilung (PV)=625 W, Pins=24, Reflow Löttemperatur max=260 °C, Spannung Gate-Emitter (Vge)=20 V, Bauform=SMPD, Konfiguration=Einfach, Montageart=SMT, Verpackung=Röhre
Weitere Informationen:
Country of origin:
PH
Customs tariff number:
8541100000
Height:
6 mm
Depth:
19 mm
Gross weight:
29 g
Width:
25 mm
Weitere Suchbegriffe: ixys igbt, smd transistor
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