Bezeichnung=AF-Transistor-Array, Typ=BC846PNH6327XTSA1, Basis-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vbe(sat))=900 mV, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Breite=1.25 mm, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=6 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=450, Höhe=0.9 mm, Kanäle=2, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=80 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=65 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=200 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=100 mA, Leistungsverteilung (PV)=250 mW, Länge=2 mm, Pins=6, Reflow Löttemperatur max=-999, Verstärkungsbandbreite=-999, Übergangsfrequenz=250 MHz, Bauform=SOT-363, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN PNP, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101 |
