Bezeichnung=Digitaltransistor, Typ=BCR503E6327HTSA1, Betriebsfrequenz=100 MHz, Betriebstemperatur, max.=150 °C, Betriebstemperatur, min.=-999, Emitter-Basis-Spannung (Vebo)=10 V, Gleichstromverstärkung (hFE)=40, Kollektor-Basis-Spannung (Vcbo)=50 V, Kollektor-Emitter-Spannung (Vceo)=50 V, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung max. (Vce(sat))=300 mV, Kontinuierlicher Kollektor-Strom (Ic)=500 mA, Leistungsverteilung (PV)=330 mW, Pins=3, Reflow Löttemperatur max=-999, Typischer Eingangswiderstand=2.2 kΩ, Typisches Widerstandsverhältnis=1, Bauform=SOT-23, Konfiguration=Einfach, MSL=Stufe-1, Montageart=SMT, Transistor-Polarität=NPN, Verpackung=Band & Rolle, Qualifizierungsstandard Automobilindustrie=AEC-Q101 |