Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4 A, 0.038 ohm, TO-236, Oberflächenmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-1470157

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SI2306BDS-T1-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 4 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-236

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 1.25 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V

SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2306BDS-T1-E3, 1470157, 147-0157

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