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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2 A, 0.154 ohm, TSMT, Oberflächenmontage


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1525462
Hersteller:
     ROHM Semiconductor
Herst.-Nr.:
     QS5U17TR
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 5 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 2 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TSMT
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 900 mW
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet 2a, smd transistor, rohm mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ROHM, QS5U17TR, 1525462, 152-5462
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