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Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-1611412
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     MMBT8099LT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
smd-transistor npn
Produktpalette: MMBTxxxx
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Wandlerpolarität: NPN
  • Übergangsfrequenz: 150 MHz
  • Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80 V
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Dauer-Kollektorstrom: 500 mA
  • DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150 hFE
  • Verlustleistung: 225 mW
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Einzelne, Gleichrichter, Schichttransistoren, Thyristoren, Transistoren, ON SEMICONDUCTOR, MMBT8099LT1G, 1611412, 161-1412
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