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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.016 ohm, TO-252 (DPAK)


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-1869909
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SQD30N05-20L_GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Suchbegriffe:
Diode
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 30 A
  • Betriebstemperatur, max.: 175 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 55 V
  • Verlustleistung: -
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: Lead (19-Jan-2021)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: SMD-Transistor, Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd transistor, d-pak diode, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SQD30N05-20L_GE3, 1869909, 186-9909
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