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VISHAY SI2366DS-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, DIODE, 30V, 5.8A, SOT23


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2056680
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SI2366DS-T1-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Diode
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 5.8 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-23
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 2.1 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2 V
  • SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, vishay diode, smd transistor, diode sot-23, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SI2366DS-T1-GE3, 2056680, 205-6680
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