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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 50 A, 0.00165 ohm, PowerPAK SO

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2114702

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIRA02DP-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00165 ohm

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 50 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: PowerPAK SO

Drain-Source-Spannung Vds: 30 V

Verlustleistung: 50 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1 V

SVHC: Lead (16-Jan-2020)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, smd transistor, mosfet 50a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIRA02DP-T1-GE3, 2114702, 211-4702

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