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Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 8.7 A, 0.7 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage


Menge:  Stück  
Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2283623
Hersteller:
     Vishay
Herst.-Nr.:
     SIHP8N50D-GE3
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Leistungs-MOSFET
MOSFET
MOSFET-Transistor
mosfet vishay
Transistormontage: Durchsteckmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 8.7 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-220AB
  • Drain-Source-Spannung Vds: 500 V
  • Verlustleistung: 156 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: To Be Advised
  • Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7 ohm
  • Produktpalette: D
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, mosfet to-220ab, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHP8N50D-GE3, 2283623, 228-3623
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