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ONSEMI FDG6322C MOSFET, N-&P-KANAL, 25V, 220MA, SC-70


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2323173
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDG6322C
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
on semiconductor mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 25 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 220 mA
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 25 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 220 mA
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.6 ohm
  • Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.6 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 300 mW
  • Verlustleistung, p-Kanal: 300 mW
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SC-70
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, FDG6322C, 2323173, 232-3173
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