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ONSEMI FDS6675BZ MOSFET, P-KANAL, -30V, -11A, SOIC


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2323196
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FDS6675BZ
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0108 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 8 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: p-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOIC
  • Drain-Source-Spannung Vds: 30 V
  • Verlustleistung: 2.5 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDS6675BZ, 2323196, 232-3196
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