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STMICROELECTRONICS STD13NM60N MOSFET, N-KANAL, 600V, 11A, TO-252-3


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Produktinformationen
Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen
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Artikel-Nr.:
     8737-2353657
Hersteller:
     ST Microelectronics
Herst.-Nr.:
     STD13NM60N
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
stm mosfet
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.28 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: -
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 11 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
  • Drain-Source-Spannung Vds: 600 V
  • Verlustleistung: 90 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3 V
  • SVHC: No SVHC (17-Dec-2015)
  • RoHS konform: Ja
  • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, mosfet 11a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, STMICROELECTRONICS, STD13NM60N, 2353657, 235-3657
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