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ONSEMI FQD13N10LTM MOSFET, N-KANAL, 100V, 10A, TO-252AA-3


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2454167
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     FQD13N10LTM
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
Rds(on)-Prüfspannung: 10 V
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.142 ohm
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 3 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Dauer-Drainstrom Id: 10 A
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: TO-252AA
  • Drain-Source-Spannung Vds: 100 V
  • Verlustleistung: 40 W
  • Qualifikation: -
  • Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 V
  • SVHC: Lead (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Keine Angaben
    • Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, mosfet dpak, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FQD13N10LTM, 2454167, 245-4167
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