Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 19 A, 0.16 ohm, TO-220FP, Durchsteckmontage

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2471936

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHA20N50E-E3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohm

Produktpalette: E

MSL: -

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 19 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-220FP

Drain-Source-Spannung Vds: 500 V

Verlustleistung: 34 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: leistungs-mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA20N50E-E3, 2471936, 247-1936

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