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VISHAY SIHA20N50E-GE3 MOSFET, N-KANAL, 500V, 19A, 150°C, 34W

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2932907

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIHA20N50E-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

MOSFET
MOSFET-Transistor
Schalttransistor
Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.16 ohm

Produktpalette: E

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 3 Pin(s)

Transistormontage: Durchsteckmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 19 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: TO-220FP

Drain-Source-Spannung Vds: 500 V

Verlustleistung: 34 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 V

SVHC: Lead (19-Jan-2021)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: mosfet vishay, mosfet, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIHA20N50E-GE3, 2932907, 293-2907

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