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ONSEMI NST65010MW6T1G TRANSISTOR, 2FACH PNP, -65V, SOT-363-6


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2508355
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NST65010MW6T1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
Dual Transistor
SMD-Transistor
Schalttransistor
Transistor
Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Transistormontage: Oberflächenmontage
  • Wandlerpolarität: Zweifach pnp
  • Verlustleistung, NPN: -
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-363
  • Verlustleistung, PNP: 380 mW
  • DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220 hFE
  • Übergangsfrequenz, NPN: -
  • Übergangsfrequenz, PNP: 100 MHz
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 65 V
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
  • Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
  • Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100 mA
  • DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd-transistor pnp, smd transistor, onsemi transistor, (BJT), Bipolare, Dioden, Gleichrichter, Schichttransistor-Arrays, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, NST65010MW6T1G, 2508355, 250-8355
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