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ONSEMI NTJD4158CT1G MOSFET N- & P-KAN. KOMPLEM. 30V SOT363


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2533193
Hersteller:
     onsemi
Herst.-Nr.:
     NTJD4158CT1G
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
on semiconductor mosfet
mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 250 mA
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 250 mA
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 1 ohm
  • Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 1 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 270 mW
  • Verlustleistung, p-Kanal: 270 mW
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SC-88
  • Qualifikation: -
  • SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ONSEMI, NTJD4158CT1G, 2533193, 253-3193
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