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DIODES INC. DMN63D8LV-7 MOSFET AEC-Q101 2FACH N-KANAL 30V SOT563


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Produktinformationen
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Artikel-Nr.:
     8737-2543519
Hersteller:
     Diodes
Herst.-Nr.:
     DMN63D8LV-7
EAN/GTIN:
     k.A.
Artikeldatenblatt
Suchbegriffe:
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor
diodes mosfet
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 260 mA
  • Produktpalette: -
  • MSL: MSL 1 - unbegrenzt
  • Anzahl der Pins: 6 Pin(s)
  • Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V
  • Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 260 mA
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 2.8 ohm
  • Kanaltyp: n-Kanal
  • Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 2.8 ohm
  • Verlustleistung, n-Kanal: 450 mW
  • Verlustleistung, p-Kanal: 450 mW
  • Betriebstemperatur, max.: 150 °C
  • Bauform - Transistor: SOT-563
  • Qualifikation: AEC-Q101
  • SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
  • RoHS konform: Ja
    • Weitere Suchbegriffe: smd transistor, Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, DIODES INC., DMN63D8LV-7, 2543519, 254-3519
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