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VISHAY SIA456DJ-T1-GE3 MOSFET, N-KANAL, 200V, 2.6A, SC-70-6

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2547295

Hersteller:
Vishay

Herst.-Nr.:
SIA456DJ-T1-GE3

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

IGBT
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Rds(on)-Prüfspannung: 4.5 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.08 ohm

Produktpalette: -

MSL: -

Anzahl der Pins: 6 Pin(s)

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 2.6 A

Betriebstemperatur, max.: 150 °C

Bauform - Transistor: SC-70

Drain-Source-Spannung Vds: 200 V

Verlustleistung: 19 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.4 V

SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)

RoHS konform: Ja

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: Schalttransistor, Transistor, mosfet vishay, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIA456DJ-T1-GE3, 2547295, 254-7295

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