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ONSEMI FDB0190N807L MOSFET, N-KANAL, 80V, 270A, TO-263-7

Menge:

Stück

Produktinformationen

Detailbild zum Produkt - kann vom Original abweichen

Artikel-Nr.:
8737-2565220

Hersteller:
onsemi

Herst.-Nr.:
FDB0190N807L

EAN/GTIN:
k.A.

Artikeldatenblatt

Suchbegriffe:

Feldeffekttransistor
MOSFET
MOSFET-Transistor
SMD-Transistor

Transistormontage: Oberflächenmontage

Kanaltyp: n-Kanal

Dauer-Drainstrom Id: 270 A

Betriebstemperatur, max.: 175 °C

Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)

Drain-Source-Spannung Vds: 80 V

Verlustleistung: 250 W

Qualifikation: -

Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9 V

SVHC: Lead (14-Jun-2023)

Rds(on)-Prüfspannung: 10 V

Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0013 ohm

Produktpalette: PowerTrench

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 7 Pin(s)

RoHS konform: Keine Angaben

... > Gleichrichter, Transistoren, Thyristoren & Dioden > FETs > Einfache MOSFET

Weitere Suchbegriffe: on semiconductor mosfet, feldeffekttransistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, ONSEMI, FDB0190N807L, 2565220, 256-5220

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