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| Artikel-Nr.: 8737-2646399 Herst.-Nr.: SIR424DP-T1-GE3 EAN/GTIN: k.A. |
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| Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046 ohmProduktpalette: TrenchFET MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 8 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 30 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: PowerPAK SO Drain-Source-Spannung Vds: 20 VVerlustleistung: 41.7 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 VSVHC: Lead (19-Jan-2021) RoHS konform: Ja |
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| Weitere Suchbegriffe: Transistor, mosfet vishay, smd transistor, mosfet 30a, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, VISHAY, SIR424DP-T1-GE3, 2646399, 264-6399 |
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