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| Artikel-Nr.: 8737-2674776 Herst.-Nr.: IXTA12N65X2 EAN/GTIN: k.A. |
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![](/p.gif) | Rds(on)-Prüfspannung: 10 V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3 ohmProduktpalette: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Anzahl der Pins: 3 Pin(s)Transistormontage: Oberflächenmontage Kanaltyp: n-Kanal Dauer-Drainstrom Id: 12 ABetriebstemperatur, max.: 150 °CBauform - Transistor: TO-263AA Drain-Source-Spannung Vds: 650 VVerlustleistung: 180 WQualifikation: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5 VSVHC: Lead (17-Jan-2023) RoHS konform: Keine Angaben |
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![](/p.gif) | Weitere Suchbegriffe: Transistor, ixys mosfet, smd transistor, Dioden, Einfache, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, IXYS SEMICONDUCTOR, IXTA12N65X2, 2674776, 267-4776 |
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