ROHM SH8M11GZETB MOSFET, N- & P-KANAL, 30V, SOP8

Menge:

Stück

Produktinformationen

Artikel-Nr.:
8737-2706782

Hersteller:
ROHM Semiconductor

Herst.-Nr.:
SH8M11GZETB

EAN/GTIN:
k.A.

Suchbegriffe:

Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30 V

Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.5 A

Produktpalette: -

MSL: MSL 1 - unbegrenzt

Anzahl der Pins: 8 Pin(s)

Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30 V

Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.5 A

Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.07 ohm

Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal

Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.07 ohm

Verlustleistung, n-Kanal: 2 W

Verlustleistung, p-Kanal: 2 W

Betriebstemperatur, max.: -

Bauform - Transistor: SOP

Qualifikation: -

SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)

RoHS konform: Ja

Weitere Suchbegriffe: Dioden, FETs, Gleichrichter, Thyristoren, Transistoren, Zweifache, ROHM, SH8M11GZETB, 2706782, 270-6782

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